分光法 | Kanade Electronics

物質に光を

光と物質の物理

は光速の比、は減衰を表します。

N = n - ik

E = E_0 exp l(iomega t - (iomega N)/(c) xr) \

  = E_0 exp lr((-(omega k)/(c)xr))exp l(iomega t - (iomega n)/(c)xr)

吸光係数は、光強度がになる距離の逆数です。

I(x) = |E(x)|^2 \

     = E_0^2 exp lr((-(2omega k)/(c)xr)) \

     = I(0)exp(-alpha x)

光の進入深さは、

epsilon.alt_1 = n^2 - k^2 quad quad epsilon.alt_2 = 2nk

は、入射光の関数であることが知られている。

誘電関数は、物質によって様々に異なる。

物質に斜めに光を当て、偏光状態を計測する装置。

光学モデルにフィッティングすることで、複素屈折率をはじめ、さまざまな物性値を計測できる。

光学遷移（価電子帯～伝導帯のジャンプ）の状態密度を、結合状態密度という。結合状態密度は吸光係数に比例する。

このことを用いて、吸光係数からバンドギャップを求めることができる。

直接遷移型半導体の場合、

間接遷移型半導体の場合、

またはとなる位置が、バンドギャップである。

物質にある波長のレーザーを照射し、反射光を分光する装置。

ラマン散乱による波長シフトを観測する。